High-mobility two-dimensional M A 2 N 4 ( M = Mo, W; A = Si, Ge) family for transistors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physical review. B 2024-03, Vol.109 (11), Article 115427
Hauptverfasser:	Xiao, Wei-Hua, Yang, Kaike, D'Agosta, Roberto, Xu, Hong-Rui, Ouyang, Gang, Zhou, Guanghui, Chen, Ke-Qiu, Tang, Li-Ming
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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