Geometry dependence of two-level-system noise and loss in a - Si C : H parallel-plate capacitors for superconducting microwave resonators

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physical review applied 2024-04, Vol.21 (4), Article 044036
Hauptverfasser: Kouwenhoven, K., van Doorn, G.P.J., Buijtendorp, B.T., de Rooij, S.A.H., Lamers, D., Thoen, D.J., Murugesan, V., Baselmans, J.J.A., de Visser, P.J.
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:2331-7019
2331-7019
DOI:10.1103/PhysRevApplied.21.044036