Monolayer WSi 2 N 4 : A promising channel material for sub-5-nm-gate homogeneous CMOS devices

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Physical review applied 2023-12, Vol.20 (6), Article 064044
Hauptverfasser:	Li, Ying, Qi, Chunyu, Zhou, Xun, Xu, Linqiang, Li, Qiuhui, Liu, Shiming, Yang, Chen, Liu, Shiqi, Xu, Lin, Dong, Jichao, Fang, Shibo, Yang, Zongmong, Chen, Yifan, Sun, Xiaotian, Lu, Jing
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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