Tailoring potentials by simulation-aided design of gate layouts for spin-qubit applications

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physical review applied 2023-10, Vol.20 (4), Article 044058
Hauptverfasser: Seidler, Inga, Neul, Malte, Kammerloher, Eugen, Künne, Matthias, Schmidbauer, Andreas, Diebel, Laura K., Ludwig, Arne, Ritzmann, Julian, Wieck, Andreas D., Bougeard, Dominique, Bluhm, Hendrik, Schreiber, Lars R.
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:2331-7019
2331-7019
DOI:10.1103/PhysRevApplied.20.044058