Gain of a High-Impedance Cavity Coupled to Strongly Driven Semiconductor Quantum Dots

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physical review applied 2023-05, Vol.19 (5), Article 054020
Hauptverfasser: Gu, Si-Si, Xu, Yong-Qiang, Wu, Rui, Jiang, Shun-Li, Ye, Shu-Kun, Lin, Ting, Wang, Bao-Chuan, Li, Hai-Ou, Cao, Gang, Guo, Guo-Ping
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:2331-7019
2331-7019
DOI:10.1103/PhysRevApplied.19.054020