Magnetometry Based on Silicon-Vacancy Centers in Isotopically Purified 4 H - SiC

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physical review applied 2023-04, Vol.19 (4), Article 044086
Hauptverfasser:	Lekavicius, I., Carter, S.G., Pennachio, D.J., White, S., Hajzus, J.R., Purdy, A.P., Gaskill, D.K., Yeats, A.L., Myers-Ward, R.L.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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