Electronic Structure Shift of Deeply Nanoscale Silicon by Si O 2 versus Si 3 N 4 Embedding as an Alternative to Impurity Doping

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Physical review applied 2019-11, Vol.12 (5), Article 054050
Hauptverfasser:	König, Dirk, Wilck, Noël, Hiller, Daniel, Berghoff, Birger, Meledin, Alexander, Di Santo, Giovanni, Petaccia, Luca, Mayer, Joachim, Smith, Sean, Knoch, Joachim
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!