Temperature-Dependent Minority-Carrier Mobility in p -Type In As / Ga Sb Type-II-Superlattice Photodetectors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physical review applied 2019-02, Vol.11 (2), Article 024047
Hauptverfasser: Taghipour, Z., Lee, S., Myers, S.A., Steenbergen, E.H., Morath, C.P., Cowan, V.M., Mathews, S., Balakrishnan, G., Krishna, S.
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:2331-7019
2331-7019
DOI:10.1103/PhysRevApplied.11.024047