Improvement of Write Efficiency in Voltage-Controlled Spintronic Memory by development of a Ta − B Spin Hall Electrode

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Physical review applied 2018-10, Vol.10 (4), Article 044011
Hauptverfasser:	Kato, Y., Saito, Y., Yoda, H., Inokuchi, T., Shirotori, S., Shimomura, N., Oikawa, S., Tiwari, A., Ishikawa, M., Shimizu, M., Altansargai, B., Sugiyama, H., Koi, K., Ohsawa, Y., Kurobe, A.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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