Transmission electron microscopy study of microstructural properties and dislocation characterization in the GaN film grown on the cone-shaped patterned Al 2 O 3 substrate

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Microscopy 2014-02, Vol.63 (1), p.15-22
Hauptverfasser:	Park, Jung Sik, Yang, Jun-Mo, Park, Kyung Jin, Park, Yun Chang, Yoo, Jung Ho, Jeong, Chil Seong, Park, Jucheol, He, Yinsheng, Shin, Keesam
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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