Bi 2 :Bi 2 Te 3 stacking influence on the surface electronic response of the topological insulator Bi 4 Te 3

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Electronic structure 2020-03, Vol.2 (1), p.15002
Hauptverfasser:	Chagas, Thais, Ribeiro, Guilherme A S, Gonçalves, Pedro H R, Calil, Luan, Silva, Wendell S, Malachias, Ângelo, Mazzoni, Mario S C, Magalhães-Paniago, Rogério
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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