Enhanced resistive switching performance in bilayer Pt/TiO 2 /Co 3 O 4 /Pt memory device

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Materials research express 2021-01, Vol.8 (1), p.16404
Hauptverfasser:	Zou, Lilan, Shao, Jianmei, Bao, Dinghua
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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