Exploration of improved leakage based performance analysis for underlap induced strained-Si layer in tri-layered channel DG nanoFETs

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physica scripta 2021-12, Vol.96 (12), p.124006
Hauptverfasser:	Kumar, Kuleen, Dhar, Rudra Sankar
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	ballistic transport carrier mobility electron current density gate underlap strained silicon
Online-Zugang:	Volltext
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