Effective suppression of nanotextured black silicon surface recombination channels by aluminum oxide: comparison from sputtered and ALD grown films

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor science and technology 2021-11, Vol.36 (11), p.115013
Hauptverfasser:	Parashar, Piyush K, Kinnunen, S A, Sajavaara, T, Toppari, J Jussi, Komarala, Vamsi K
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	aluminum oxide atomic layer deposition nano-textured silicon sputtering surface defect states surface passivation
Online-Zugang:	Volltext
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