HfO 2 as gate insulator on N-polar GaN-AlGaN heterostructures

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor science and technology 2021-02
Hauptverfasser:	Clymore, Christopher J., Mohanty, Subhajit, Jian, Zhe (Ashley), Krishna, Athith, Keller, Stacia, Ahmadi, Elaheh
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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