Influence of accumulated charges on deep trench etch process in 3D NAND memory
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Veröffentlicht in: | Semiconductor science and technology 2020-04, Vol.35 (4), p.45003 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Online-Zugang: | Volltext |
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ISSN: | 0268-1242 1361-6641 |
DOI: | 10.1088/1361-6641/ab73e7 |