Impact of process-induced variability on the performance and scaling of Ge 2 Sb 2 Te 5 Phase-change memory device

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor science and technology 2020-03, Vol.35 (3), p.35031
Hauptverfasser:	Durai, Suresh, Raj, Srinivasan, Manivannan, Anbarasu
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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