Integration of multi-layered materials with wide bandgap semiconductors for multi-spectral photodetectors: case for MoS 2 /GaN and β -In 2 Se 3 /GaN

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor science and technology 2019-07, Vol.34 (7), p.75020
Hauptverfasser:	Solanke, Swanand V, Rathkanthiwar, Shashwat, Kalra, Anisha, Mech, Roop Kumar, Rangarajan, Muralidharan, Raghavan, Srinivasan, Nath, Digbijoy N
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!