Spin-dependent electrical hole extraction from low doped p-Si via the interface states in a Fe 3 Si/p-Si structure

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Semiconductor science and technology 2019-03, Vol.34 (3), p.35024
Hauptverfasser:	Tarasov, A S, Lukyanenko, A V, Rautskii, M V, Bondarev, I A, Smolyakov, D A, Tarasov, I A, Yakovlev, I A, Varnakov, S N, Ovchinnikov, S G, Baron, F A, Volkov, N V
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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