Optoelectronic properties of high-Si-content-Ge 1 −x – y Si x Sn y /Ge 1− x Sn x /Ge 1− x–y Si x Sn y double heterostructure

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor science and technology 2018-12, Vol.33 (12), p.124018
Hauptverfasser:	Fukuda, Masahiro, Rainko, Denis, Sakashita, Mitsuo, Kurosawa, Masashi, Buca, Dan, Nakatsuka, Osamu, Zaima, Shigeaki
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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