Controlled reactive HiPIMS—effective technique for low-temperature (300 °C) synthesis of VO 2 films with semiconductor-to-metal transition

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of physics. D, Applied physics Applied physics, 2017-09, Vol.50 (38), p.38
Hauptverfasser:	Vlček, J, Kolenatý, D, Houška, J, Kozák, T, Čerstvý, R
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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