The electronic band structure of Ge 1− x Sn x in the full composition range: indirect, direct, and inverted gaps regimes, band offsets, and the Burstein–Moss effect

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of physics. D, Applied physics Applied physics, 2017-05, Vol.50 (19), p.195103
Hauptverfasser:	Polak, M P, Scharoch, P, Kudrawiec, R
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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