Pulse switching characterization of organometallic chemical vapor deposited PbZr x Ti 1−x O 3 thin films for high-density memory applications

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Integrated ferroelectrics 1995-02, Vol.7 (1-4), p.123-138
Hauptverfasser:	Taylor, D. J., Larsen, P. K., Dormans, G. J. M., de Veirman, A. E.M
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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