Structure and optical properties of silicon implanted by high doses of 70 and 310 keV carbon ions

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Radiation effects 1980-01, Vol.48 (1-4), p.7-11
Hauptverfasser:	Akimchenko, I. P., Kisseleva, K. V., Krasnopevtsev, V. V., Touryanski, A. G., Vavilov, V. S.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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