Effect of the energy of ion-chemical etching of GaAs/Al x Ga 1- x As structures on photoluminescence and degradation of devices

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Quantum electronics (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 2005-05, Vol.35 (5), p.445-448
Hauptverfasser:	Zubanov, Andrei V, Uspenskii, Mikhail B, Shishkin, Viktor A
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!