Influence of deep impurity levels on the threshold characteristics of electron-beam-pumped lasers made of n –Ga 1– x Al x As

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Soviet journal of quantum electronics 1984-04, Vol.14 (4), p.563-565
Hauptverfasser:	Bogdankevich, O V, Borisov, N A, Galchenkov, D V, Usvyat, I I, Chernysheva, O V
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!