Influence of structure defects on the damage threshold of ZnSe crystals

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Soviet journal of quantum electronics 1981-09, Vol.11 (9), p.1228-1230
Hauptverfasser: Kompaniets, Yu V, Mel'nikov, B V, Shatilov, A V
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0049-1748
2169-530X
DOI:10.1070/QE1981v011n09ABEH008364