Erratum: “Single β-Ga2O3 nanowire based lateral FinFET on Si” [Appl. Phys. Lett. 120, 153501 (2022)]

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2023-02, Vol.122 (8)
Hauptverfasser:	Xu, Siyuan, Liu, Lining, Qu, Guangming, Zhang, Xingfei, Jia, Chunyang, Wu, Songhao, Ma, Yuanxiao, Lee, Young Jin, Wang, Guodong, Park, Ji-Hyeon, Zhang, Yiyun, Yi, Xiaoyan, Wang, Yeliang, Li, Jinmin
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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