Comment on “The observation of Gaussian distribution and origination identification of deep defects in AlGaN/GaN MIS-HEMT” [Appl. Phys. Lett. 120, 172107 (2022)]

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2022-08, Vol.121 (6)
1. Verfasser:	Thonke, Klaus
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Aluminum gallium nitrides Applied physics MIS (semiconductors) Normal distribution
Online-Zugang:	Volltext
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