Erratum: “Improved carrier confinement and distribution in InGaN light-emitting diodes with three-layer staggered QWs” [AIP Adv. 11, 075027 (2021)]

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	AIP advances 2021-11, Vol.11 (11), p.119901-119901-1
Hauptverfasser:	Cai, Li-E., Xu, Chao-Zhi, Xiong, Fei-Bing, Zhao, Ming-Jie, Lin, Hai-Feng, Lin, Hong-Yi, Sun, Dong
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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