Band alignment determination of bulk h-BN and graphene/h-BN laminates using photoelectron emission microscopy
Because graphene stacked on hexagonal boron nitride (h-BN) exhibits high electron mobility, it is expected to be applied to next-generation high-speed transistors and electron emitters. To further improve the performance of graphene/h-BN devices, it is necessary to determine the band alignment of gr...
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Veröffentlicht in: | Journal of applied physics 2019-04, Vol.125 (14) |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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