Si content variation and influence of deposition atmosphere in homoepitaxial Si-doped β-Ga 2 O 3 films by pulsed laser deposition

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	APL materials 2018-10, Vol.6 (10), p.101102
Hauptverfasser:	Leedy, Kevin D., Chabak, Kelson D., Vasilyev, Vladimir, Look, David C., Mahalingam, Krishnamurthy, Brown, Jeff L., Green, Andrew J., Bowers, Cynthia T., Crespo, Antonio, Thomson, Darren B., Jessen, Gregg H.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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