Enhanced photoresponsivity of multilayer MoS2 transistors using high work function MoOx overlayer

Using thin sub-stoichiometric molybdenum trioxide (MoOx, x

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2017-01, Vol.110 (5)
Hauptverfasser:	Yoo, Geonwook, Hong, Seongin, Heo, Junseok, Kim, Sunkook
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied physics Charge transfer Field effect transistors Heterostructures Molybdenum disulfide Molybdenum oxides Molybdenum trioxide Multilayers Semiconductor devices Threshold voltage Work functions
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Using thin sub-stoichiometric molybdenum trioxide (MoOx, x
ISSN:	0003-6951 1077-3118
DOI:	10.1063/1.4975626