Terahertz responsivity and low-frequency noise in biased silicon field-effect transistors
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Veröffentlicht in: | Applied physics letters 2013-04, Vol.102 (15), p.153505 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Online-Zugang: | Volltext |
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ISSN: | 0003-6951 1077-3118 |
DOI: | 10.1063/1.4802208 |