Bandgap engineering of group IV materials for complementary n and p tunneling field effect transistors

Direct bandgap transition engineering using stress, alloying, and quantum confinement is proposed to achieve high performing complementary n and p tunneling field effect transistors (TFETs) based on group IV materials. The critical tensile stress for this transition decreases in Ge1−xSnx for Sn cont...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2013-03, Vol.102 (11)
Hauptverfasser:	Kotlyar, R., Avci, U. E., Cea, S., Rios, R., Linton, T. D., Kuhn, K. J., Young, I. A.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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