In-operando and non-destructive analysis of the resistive switching in the Ti/HfO 2 /TiN-based system by hard x-ray photoelectron spectroscopy

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2012-10, Vol.101 (14), p.143501
Hauptverfasser:	Bertaud, Thomas, Sowinska, Malgorzata, Walczyk, Damian, Thiess, Sebastian, Gloskovskii, Andrei, Walczyk, Christian, Schroeder, Thomas
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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