Band offsets in ZrO 2 /InGaZnO 4 heterojunction

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2012-08, Vol.101 (9), p.93508
Hauptverfasser:	Yao, Jianke, Zhang, Shengdong, Gong, Li
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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