Erratum: "Band discontinuity measurements of the wafer bonded InGaAs/Si heterojunction" [Appl. Phys. Lett. 90, 222111 (2007)]

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2012-03, Vol.100 (12), p.129901-129901-1
Hauptverfasser:	McKay, Kyle S., Lu, Felix P., Kim, Jungsang, Yi, Changhyun, Brown, April S., Hawkins, Aaron R.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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