Diffusion during metalorganic vapor-phase epitaxy on V-groove patterned substrates

We studied the diffusion process in metalorganic vapor-phase epitaxy of InGaAs on V-groove patterned InP substrates. A model, recently developed for selective-area growth on planar patterned substrates, enabled us to analyze growth rate distribution and to determine diffusion lengths of growing spec...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 1999-01, Vol.85 (1), p.249-255
Hauptverfasser:	Wüllner, D., Chahoud, M., Schrimpf, T., Bönsch, P., Wehmann, H.-H., Schlachetzki, A.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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