Electrical properties of lightly doped p-type silicon–germanium single crystals

Experimental results are presented on the electrical properties of lightly boron doped bulk Si1−xGex as a function of the Ge content x in the range 0

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 1998-05, Vol.83 (10), p.5258-5263
Hauptverfasser:	Gaworzewski, P., Tittelbach-Helmrich, K., Penner, U., Abrosimov, N. V.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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