Erratum: ‘‘Inhomogeneous strain relaxation and defect distribution of ZnTe layers deposited on (110)GaAs by metalorganic vapor phase epitaxy’’ [J. Appl. Phys. 78 , 229 (1995)]

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 1996-01, Vol.79 (1), p.562-562
Hauptverfasser:	Lovergine, N., Liaci, F., Ganière, J.-D., Leo, G., Drigo, A. V., Romanto, F., Mancini, A. M., Vasanelli, L.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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