Current-driven domain wall motion across a wide temperature range in a (Ga,Mn)(As,P) device

Current-driven magnetic domain wall motion is demonstrated in the quaternary ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)(As,P) at temperatures well below the ferromagnetic transition temperature, with critical currents of the order 105 A cm−2. This is enabled by a much weaker domain wall pinning compared to...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2010-12, Vol.97 (26)
Hauptverfasser:	Wang, K. Y., Edmonds, K. W., Irvine, A. C., Tatara, G., De Ranieri, E., Wunderlich, J., Olejnik, K., Rushforth, A. W., Campion, R. P., Williams, D. A., Foxon, C. T., Gallagher, B. L.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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