Silicon emitter for shortwave infrared ( 1.6 - 3   μ m ) band by light down-conversion

No silicon-based light emitting diodes exist for shortwave infrared ( 1.6 - 3.0   μ m ) band due to bandgap limitations imposed on luminescence wavelengths. To alleviate this problem, we propose a photonic device in which below-bandgap radiation comes as the result of the thermal emission enhanced b...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2010-11, Vol.97 (21), p.211104-211104-3
Hauptverfasser:	Malyutenko, V. K., Bogatyrenko, V. V., Tykhonov, A. M.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!