Erratum: “Angle-resolved phototelectron study on the structures of silicon nitride films and Si3N4/Si interfaces formed using nitrogen-hydrogen radicals” [J. Appl. Phys. 104, 114112 (2008)]

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 2010-03, Vol.107 (6)
Hauptverfasser:	Aratani, Takashi, Higuchi, Masaaki, Sugawa, Shigetoshi, Ikenaga, Eiji, Ushio, Jiro, Nohira, Hiroshi, Suwa, Tomoyuki, Teramoto, Akinobu, Ohimi, Tadahiro, Hattori, Takeo
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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