Photoluminescence and Raman scattering investigations of implanted and thermally annealed InP
Photoluminescence (PL) and Raman scattering experiments were carried out on Si-implanted and thermally annealed semi-insulating InP. The application of PL measurements to determine concentrations of free electrons at the surfaces of implanted samples is demonstrated. The carrier concentrations are e...
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Veröffentlicht in: | Journal of applied physics 1985-09, Vol.58 (5), p.1979-1981 |
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Hauptverfasser: | , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext |
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