Photoluminescence and Raman scattering investigations of implanted and thermally annealed InP

Photoluminescence (PL) and Raman scattering experiments were carried out on Si-implanted and thermally annealed semi-insulating InP. The application of PL measurements to determine concentrations of free electrons at the surfaces of implanted samples is demonstrated. The carrier concentrations are e...

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Veröffentlicht in:Journal of applied physics 1985-09, Vol.58 (5), p.1979-1981
Hauptverfasser: OLEGO, D. J, SERREZE, H. B
Format: Artikel
Sprache:eng
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