Energy level evolution of molybdenum trioxide interlayer between indium tin oxide and organic semiconductor

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2010-02, Vol.96 (7), p.73304
Hauptverfasser:	Irfan, Ding, Huanjun, Gao, Yongli, Kim, Do Young, Subbiah, Jegadesan, So, Franky
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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