Nonvolatile static random access memory based on spin-transistor architecture

The authors proposed and computationally analyzed nonvolatile static random access memory (NV-SRAM) architecture using a new type of spin transistor comprised of a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) and magnetic tunnel junction (MTJ) that is referred to as a pseudo-spin-MOSFE...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 2009-04, Vol.105 (7), p.07C933-07C933-3
Hauptverfasser:	Shuto, Yusuke, Yamamoto, Shuu'ichirou, Sugahara, Satoshi
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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