Investigation of trapping effects in AlGaN/GaN/Si field-effect transistors by frequency dependent capacitance and conductance analysis

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2008-09, Vol.93 (12), p.124103
Hauptverfasser:	Stoklas, R., Gregušová, D., Novák, J., Vescan, A., Kordoš, P.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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