Temperature dependence of the GaAsN conduction band structure

In this contribution the authors investigate the temperature-dependent conduction band structure of Ga As 1 − x N x for different nitrogen contents. An analysis of their experimental photoreflectance data based on the two-band version of the band anticrossing model shows that with decreasing tempera...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2006-11, Vol.89 (20), p.202105-202105-3
Hauptverfasser:	Grau, A., Passow, T., Hetterich, M.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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