On the band structure lineup of ZnO heterostructures

The interface-induced gap states (IFIGS) are the fundamental mechanism which determines the band structure lineup at semiconductor interfaces. The valence-band offsets of semiconductor heterostructures are given by the difference of the respective IFIGS branch-point energies and electric-dipole term...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2005-04, Vol.86 (16), p.162101-162101-2
1. Verfasser:	Mönch, Winfried
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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